1. Електронний архів КНУТД
  2. Загальноуніверситетські колекції
  3. Наукові публікації (статті)
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/237
Название: Негативний фотодіелектричний ефект у структурах плівка фулерену-плівка сегнетоелектричного рідкого кристалу
Другие названия: Negative Photodielectric Effect in Structures Fullerene Film / Film of Ferroelectric Liquid Crystal
Авторы: Ковальчук, Олександр Васильович
Шевчук, Олександр Федорович
Ключевые слова: Сегнетоелектричний рідкий кристал
Фулерен
Діелектрична проникність.
Дата публикации: 1-мар-2015
Библиографическое описание: Ковальчук О.В. Негативний фотодіелектричний ефект у структурах плівка фулерену-плівка сегнетоелектричного рідкого кристалу/ О.Ф. Шевчук, О.В. Ковальчук // ЖУРНАЛ НАНО- ТА ЕЛЕКТРОННОЇ ФІЗИКИ.- 2015.-Том 7.- № 1.- 01027.-5 c
Source: Журнал нано- та електронної фізики
Краткий осмотр (реферат): Наведено результати досліджень впливу світла на діелектричні властивості структур плівка фу- лерену С60 – плівка сегнетоелектричного рідкого кристалу (СЕРК). Експериментально показано, що у хіральній смектичній фазі СЕРК, на відміну від інших фаз, освітлення структур призводить до змен- шення ємності (негативний фотодіелектричний ефект). Запропоновано механізмом такого ефекту. На основі отриманих даних дано пояснення позитивного фотодіелектричного ефекту, виявленого у роботі [1] при дослідженні колоїдного розчину СЕРК + 43 мас. % суміші фулеренів С60 + C70.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/237
Faculty: Інститут інженерії та інформаційних технологій
Department: Кафедра прикладної фізики та вищої математики
Располагается в коллекциях:Наукові публікації (статті)
Кафедра прикладної фізики та вищої математики (ПФВМ)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
jnep_2015_V7_01015.pdfОсновна стаття335,49 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.