Please use this identifier to cite or link to this item: https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/6635
Title: Аморфний СdP2-перспективний матеріал для електронної техніки
Authors: Лапшин, В. Ф.
Максимов, В. К.
Потапов, А. А.
Issue Date: 2009
Citation: Лапшин В. Ф. Аморфний СdP2-перспективний матеріал для електронної техніки [Текст] / В. Ф. Лапшин, В. К. Максимов, А. А. Потапов // Вісник Київського національного університету технологій та дизайну. - 2009. - № 6 (50). - C. 33-37.
Source: Вісник Київського національного університету технологій та дизайну
Abstract: Стаття присвячена проблемам матеріалознавства. Запропоновано новий напівпровідниковий аморфний матеріал – CdP2, досліджено його електропровідність та вплив на неї питомої густини енергетичних рівнів для електронів і ступеня їх компенсації. Запропонований матеріал може бути використано для виготовлення активних елементів електронної техніки.
Статья посвящена проблемам материаловедения. Предложен новый полупроводниковый аморфный материал – CdP2, исследована его электропроводность и влияние на неё удельной плотности энергетических уровней для электронов и степени их компенсации. Предложенный материал может быть использован для изготовления активных элементов электронной техники.
The article is dedicated to issues of materials technology. A new semiconductive amorphous material СdP2 is suggested, its conductivity factor is searched as well as influence of specific density of energy levels for electrons on it and its compensation. Proposed material can be used for production of active elements of electronic technology.
URI: https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/6635
ISSN: 1813-6796
Appears in Collections:Наукові публікації (статті)
Вісник КНУТД

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
V50_P033-037.pdf321,28 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.