Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/6635
Назва: Аморфний СdP2-перспективний матеріал для електронної техніки
Автори: Лапшин, В. Ф.
Максимов, В. К.
Потапов, А. А.
Дата публікації: 2009
Бібліографічний опис: Лапшин В. Ф. Аморфний СdP2-перспективний матеріал для електронної техніки [Текст] / В. Ф. Лапшин, В. К. Максимов, А. А. Потапов // Вісник Київського національного університету технологій та дизайну. - 2009. - № 6 (50). - C. 33-37.
Source: Вісник Київського національного університету технологій та дизайну
Короткий огляд (реферат): Стаття присвячена проблемам матеріалознавства. Запропоновано новий напівпровідниковий аморфний матеріал – CdP2, досліджено його електропровідність та вплив на неї питомої густини енергетичних рівнів для електронів і ступеня їх компенсації. Запропонований матеріал може бути використано для виготовлення активних елементів електронної техніки.
Статья посвящена проблемам материаловедения. Предложен новый полупроводниковый аморфный материал – CdP2, исследована его электропроводность и влияние на неё удельной плотности энергетических уровней для электронов и степени их компенсации. Предложенный материал может быть использован для изготовления активных элементов электронной техники.
The article is dedicated to issues of materials technology. A new semiconductive amorphous material СdP2 is suggested, its conductivity factor is searched as well as influence of specific density of energy levels for electrons on it and its compensation. Proposed material can be used for production of active elements of electronic technology.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/6635
ISSN: 1813-6796
Розташовується у зібраннях:Наукові публікації (статті)
Вісник КНУТД

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
V50_P033-037.pdf321,28 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.